IGBT Non Bourns, 40 A, 600 V, TO-247

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253-3505
Référence fabricant:
BIDW20N60T
Marque:
Bourns
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Marque

Bourns

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

192W

Type de Boitier

TO-247

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.9V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Série

BIDW20N60T

Standard automobile

Non

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une perte de conduction plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre un coefficient de température positif.

600 V, 20 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))

Technologie Trench-Gate Field-Stop

Optimisé pour la conduction

Faibles pertes de commutation

Conforme à la directive RoHS

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