Références fabricant

IGBT Non IXYSCanal-Type N, 48 A, 600 V 40 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant

Code commande RS:: 791-7416
Référence fabricant:: IXGH48N60B3
Marque:: IXYS

IGBT Non IXYSCanal-Type N, 48 A, 600 V 40 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant

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Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 8	8,715 €	17,43 €
10 - 28	7,035 €	14,07 €
30 - 58	6,275 €	12,55 €
60 - 118	5,755 €	11,51 €
120 +	5,225 €	10,45 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 791-7416
Référence fabricant:: IXGH48N60B3
Marque:: IXYS

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Type de produit	IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc	48A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	300W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	40kHz
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.8V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Série	GenX3TM 600V IGBT
	Longueur	20.32mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Type de produit IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc 48A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 300W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 40kHz
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Série GenX3TM 600V IGBT
	Longueur 20.32mm
	Standard automobile Non

IXGA48N60B3, IXGP48N60B3, IXGH48N60B3, GenX3 IGBT 600V 48A (Medium-Speed, Low Vsat, 5-40kHz Switching)

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Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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