Module transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247-3

La nouvelle technologie TRENCHSTOPIGBT d'Infineon redéfinit l'IGBT "meilleur de sa catégorie" en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications à commutation difficile. La nouvelle famille est une grande avancée dans l'innovation IGBT pour répondre aux exigences de haut rendement du marché de demain. Il est doté d'un meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse, ce qui entraîne une plus grande fiabilité du dispositif. Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité.

Tension de rupture de 650 V
Par rapport à la famille HighSpeed 3 d'Infineon, la meilleure de sa catégorie
Facteur 2,5 Qg inférieur
Réduction par facteur 2 des pertes de commutation
Réduction de 200 mV en V CE(sat)
Faible C OES/E OSS
Coefficient de température positif léger V CE(sat)
Température stable