IGBT Non Infineon Double, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2 Châssis

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

704,40 €

HT

845,30 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 02 février 2028
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
10 - 4070,44 €704,40 €
50 +69,04 €690,40 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
260-8887
Référence fabricant:
FF50R12RT4HOSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum Pd

285W

Type de Boitier

AG-34MM

Configuration

Double

Type de montage

Châssis

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.25V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le module IGBT double d'Infineon est une diode TRENCHSTOP IGBT4 rapide de 34 mm, 1 200 V, 50 A et 4 diodes contrôlées par émetteur. VCEsat avec coefficient de température positif, flexibilité, performances électriques optimales et fiabilité maximale.

Température d'utilisation étendue

Faibles pertes de commutation

Faible VCEsat

Plaque de base isolée

Boîtier standard

Nos clients ont également consulté