IGBT Non Infineon Double, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2 Châssis

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Code commande RS:
260-8887
Référence fabricant:
FF50R12RT4HOSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum Pd

285W

Configuration

Double

Type de Boitier

AG-34MM

Type de montage

Châssis

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.25V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le module IGBT double d'Infineon est une diode TRENCHSTOP IGBT4 rapide de 34 mm, 1 200 V, 50 A et 4 diodes contrôlées par émetteur. VCEsat avec coefficient de température positif, flexibilité, performances électriques optimales et fiabilité maximale.

Température d'utilisation étendue

Faibles pertes de commutation

Faible VCEsat

Plaque de base isolée

Boîtier standard

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