IGBT, FF50R12RT4HOSA1, , 50 A, 1 200 V, AG-34MM
- Code commande RS:
- 260-8887
- Référence fabricant:
- FF50R12RT4HOSA1
- Marque:
- Infineon
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784,55 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 78,455 € | 784,55 € |
| 50 + | 76,895 € | 768,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 260-8887
- Référence fabricant:
- FF50R12RT4HOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1 200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum | 285 W | |
| Type de boîtier | AG-34MM | |
| Configuration | Double | |
| Type de montage | Montage sur châssis | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1 200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum 285 W | ||
Type de boîtier AG-34MM | ||
Configuration Double | ||
Type de montage Montage sur châssis | ||
Le module IGBT double d'Infineon est une diode TRENCHSTOP IGBT4 rapide de 34 mm, 1 200 V, 50 A et 4 diodes contrôlées par émetteur. VCEsat avec coefficient de température positif, flexibilité, performances électriques optimales et fiabilité maximale.
Température d'utilisation étendue
Faibles pertes de commutation
Faible VCEsat
Plaque de base isolée
Boîtier standard
Faibles pertes de commutation
Faible VCEsat
Plaque de base isolée
Boîtier standard