IGBT, FF50R12RT4HOSA1, , 50 A, 1 200 V, AG-34MM

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Code commande RS:
260-8887
Référence fabricant:
FF50R12RT4HOSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

50 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1 200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

285 W

Nombre de transistors

2

Type de boîtier

AG-34MM

Configuration

Double

Type de montage

Montage sur châssis

Le module IGBT double d'Infineon est une diode TRENCHSTOP IGBT4 rapide de 34 mm, 1 200 V, 50 A et 4 diodes contrôlées par émetteur. VCEsat avec coefficient de température positif, flexibilité, performances électriques optimales et fiabilité maximale.

Température d'utilisation étendue
Faibles pertes de commutation
Faible VCEsat
Plaque de base isolée
Boîtier standard

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