IGBT Non Infineon Double, 600 A, 1200 V, AG-PRIME2 2 Châssis
- Code commande RS:
- 260-8893
- Référence fabricant:
- FF600R12IP4BOSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 260-8893
- Référence fabricant:
- FF600R12IP4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 600A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Configuration | Double | |
| Type de Boitier | AG-PRIME2 | |
| Type de montage | Châssis | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.55V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 600A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Configuration Double | ||
Type de Boitier AG-PRIME2 | ||
Type de montage Châssis | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.55V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT double demi-pont Infineon PrimePACK 2 1 200 V, 600 A avec TRENCHSTOP IGBT4, 4 diodes contrôlées par émetteur, NTC et puce à commutation souple, également disponible avec matériau d'interface thermique. Capacité de court-circuit élevée, courant de court-circuit auto-limitant, VCEsat avec coefficient de température positif.
Température d'utilisation étendue
Stabilité c.c. élevée
Haute densité de puissance
Boîtier standardisé