IGBT Non STMicroelectronics, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247

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261-5072
Référence fabricant:
STGWA80H65DFBAG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

80A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

535W

Type de Boitier

TO-247

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

15V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

STGWA

Largeur

21 mm

Hauteur

5mm

Normes/homologations

No

Longueur

15.8mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
L'IGBT de STMicroelectronics est développé à l'aide d'une structure d'arrêt de terrain de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la conduction et la perte de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, le VCE(sat) légèrement positif le coefficient de température et la distribution de paramètres très étroite permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Certifié AEC-Q101

Série de commutation haute vitesse

La température de jonction maximale TJ est de 175 degrés C

Courant de fin de course minimisé

Distribution de paramètres étroite

Coefficient de température VCE(sat) positif

Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération

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