IGBT Non STMicroelectronics, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 261-5071
- Référence fabricant:
- STGWA80H65DFBAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 261-5071
- Référence fabricant:
- STGWA80H65DFBAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 535W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 15V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | STGWA | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 535W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 15V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série STGWA | ||
Longueur 15.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT de STMicroelectronics est développé à l'aide d'une structure d'arrêt de terrain de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la conduction et la perte de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, le VCE(sat) légèrement positif le coefficient de température et la distribution de paramètres très étroite permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Certifié AEC-Q101
Série de commutation haute vitesse
La température de jonction maximale TJ est de 175 degrés C
Courant de fin de course minimisé
Distribution de paramètres étroite
Coefficient de température VCE(sat) positif
Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération
Nos clients ont également consulté
- IGBT Non STMicroelectronics 650 V TO-247
- IGBT Non Infineon 650 V PG-TO-247
- IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V 30 kHz TO-247 Traversant
- Module IGBT Non Infineon 650 V 20 ns PG-TO-247
- IGBT à conduction inverse Non InfineonCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N 650 V 1 MHz TO-247 Traversant