IGBT, STGWA80H65DFBAG, , 80 A, 1,65 V, TO-247, 3 broches

L'IGBT de STMicroelectronics est développé à l'aide d'une structure d'arrêt de terrain de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la perte de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, le VCE(sat) légèrement positif le coefficient de température et la distribution de paramètres très étroite permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Certifié AEC-Q101
Série de commutation haute vitesse
La température de jonction maximale TJ est de 175 degrés C
Courant de fin de course minimisé
Distribution de paramètres étroite
Coefficient de température VCE(sat) positif
Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération