IGBT Non InfineonCanal-Type N, 80 A, 650 V 30 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 144-1203
- Référence fabricant:
- IKW75N65ES5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
34,97 €
HT
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 3,497 € | 34,97 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 144-1203
- Référence fabricant:
- IKW75N65ES5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 395W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 30kHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.75V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | TrenchStop | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 3.35mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 395W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 30kHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.75V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série TrenchStop | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 3.35mJ | ||
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
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IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.