IGBT, IHW50N65R5XKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 215-6646
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,025 € | 6,05 € |
| 20 - 48 | 2,73 € | 5,46 € |
| 50 - 98 | 2,545 € | 5,09 € |
| 100 - 198 | 2,36 € | 4,72 € |
| 200 + | 1,51 € | 3,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6646
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 282 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 282 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Transistor bipolaire à porte isolée avec diode monolithique à conduction inverse Infineon.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique