IGBT à conduction inverse Non InfineonCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 215-6646
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,025 € | 6,05 € |
| 20 - 48 | 2,73 € | 5,46 € |
| 50 - 98 | 2,545 € | 5,09 € |
| 100 - 198 | 2,36 € | 4,72 € |
| 200 + | 1,51 € | 3,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6646
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Type de produit | IGBT à conduction inverse | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 282W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.35V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | |
| Série | Resonant Switching | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Type de produit IGBT à conduction inverse | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 282W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.35V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | ||
Série Resonant Switching | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor bipolaire à porte isolée avec diode monolithique à conduction inverse Infineon.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique