IGBT, IHW50N65R5XKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 215-6645
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
62,64 €
HT
75,18 €
TTC
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- Expédition à partir du 06 juillet 2026
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,088 € | 62,64 € |
| 60 - 120 | 1,984 € | 59,52 € |
| 150 - 270 | 1,90 € | 57,00 € |
| 300 - 570 | 1,817 € | 54,51 € |
| 600 + | 1,691 € | 50,73 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6645
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 282 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 282 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Transistor bipolaire à porte isolée avec diode monolithique à conduction inverse Infineon.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique