IGBT, IHW50N65R6XKSA1, , 83 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 225-0576
- Référence fabricant:
- IHW50N65R6XKSA1
- Marque:
- Infineon
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6,43 €
HT
7,716 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,215 € | 6,43 € |
| 20 - 48 | 2,89 € | 5,78 € |
| 50 - 98 | 2,70 € | 5,40 € |
| 100 - 198 | 2,51 € | 5,02 € |
| 200 + | 2,35 € | 4,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 225-0576
- Référence fabricant:
- IHW50N65R6XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 83 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 251 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 83 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 251 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Infineon IHW50N65R6 est un IGBT 650 V, 50 A avec diode monolithiquement intégrée dans un boîtier TO-247 avec diode monolithiquement intégrée conçu pour répondre aux exigences exigeantes des applications de chauffage par induction à l'aide d'une topologie résonante à demi-pont.
Plage de fréquence 20 - 75 kHz
Faible EMI
Distribution de paramètres très serrée
TJ de fonctionnement maximum de 175 °C.
Faible EMI
Distribution de paramètres très serrée
TJ de fonctionnement maximum de 175 °C.