IGBT, IHW30N65R6XKSA1, , 65 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 225-0572
- Référence fabricant:
- IHW30N65R6XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,594 € | 12,97 € |
| 25 - 45 | 2,334 € | 11,67 € |
| 50 - 120 | 2,178 € | 10,89 € |
| 125 - 245 | 2,02 € | 10,10 € |
| 250 + | 1,894 € | 9,47 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 225-0572
- Référence fabricant:
- IHW30N65R6XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 65 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±30V | |
| Dissipation de puissance maximum | 160 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 65 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±30V | ||
Dissipation de puissance maximum 160 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Infineon IHW30N65R6 est un IGBT 650 V, 30 A avec diode monolithiquement intégrée dans un boîtier TO-247 avec diode monolithiquement intégrée conçu pour répondre aux exigences exigeantes des applications de chauffage par induction à l'aide d'une topologie résonante à demi-pont.
Haute robustesse et comportement stable en termes de température
Faible EMI
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Diode monolithique à conduction inverse puissante avec faible tension directe
Faible EMI
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Diode monolithique à conduction inverse puissante avec faible tension directe