IGBT, IHW30N65R6XKSA1, , 65 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 225-0571
- Référence fabricant:
- IHW30N65R6XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 240 unités)*
328,32 €
HT
394,08 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 1,368 € | 328,32 € |
| 480 - 480 | 1,30 € | 312,00 € |
| 720 + | 1,218 € | 292,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 225-0571
- Référence fabricant:
- IHW30N65R6XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 65 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±30V | |
| Dissipation de puissance maximum | 160 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 65 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±30V | ||
Dissipation de puissance maximum 160 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Infineon IHW30N65R6 est un IGBT 650 V, 30 A avec diode monolithiquement intégrée dans un boîtier TO-247 avec diode monolithiquement intégrée conçu pour répondre aux exigences exigeantes des applications de chauffage par induction à l'aide d'une topologie résonante à demi-pont.
Haute robustesse et comportement stable en termes de température
Faible EMI
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Diode monolithique à conduction inverse puissante avec faible tension directe
Faible EMI
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Diode monolithique à conduction inverse puissante avec faible tension directe