IGBT, IKW50N65ES5XKSA1, , 80 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 133-9879
- Référence fabricant:
- IKW50N65ES5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 4,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 133-9879
- Référence fabricant:
- IKW50N65ES5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 274 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 30kHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Capacité de grille | 3100pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Indice énergétique | 1.78mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 274 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 30kHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Capacité de grille 3100pF | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Indice énergétique 1.78mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.