IGBT Non InfineonCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 110-7157
- Référence fabricant:
- IGW50N65H5FKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 4 unités)*
14,26 €
HT
17,112 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 136 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 3,565 € | 14,26 € |
| 20 - 36 | 3,388 € | 13,55 € |
| 40 - 96 | 3,243 € | 12,97 € |
| 100 - 196 | 3,03 € | 12,12 € |
| 200 + | 2,85 € | 11,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 110-7157
- Référence fabricant:
- IGW50N65H5FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 305W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC | |
| Série | TrenchStop | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 0.7mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 305W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC | ||
Série TrenchStop | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 0.7mJ | ||
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Nos clients ont également consulté
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V 30 kHz TO-247 Traversant
- IGBT à conduction inverse Non InfineonCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT InfineonCanal-Type N 650 V PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT Non InfineonCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant