IGBT Non InfineonCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 226-6118
- Référence fabricant:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,375 € | 10,75 € |
| 10 - 18 | 4,84 € | 9,68 € |
| 20 - 48 | 4,515 € | 9,03 € |
| 50 - 98 | 4,195 € | 8,39 € |
| 100 + | 3,87 € | 7,74 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6118
- Référence fabricant:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 275W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 30 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.65V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Longueur | 41.42mm | |
| Largeur | 16.13 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 275W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 30 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.65V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Longueur 41.42mm | ||
Largeur 16.13 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon IKW50N65EH5 est un IGBT à commutation rigide haute vitesse de 650 V qui a utilisé la technologie Rapid SI-diode. Il est doté d'une conception à densité de puissance plus élevée et d'un faible COES/EOSS.
Facteur 2,5 Qg inférieur
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat