IGBT, IKW50N65EH5XKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247, 3 broches

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

10,75 €

HT

12,90 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 210 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 85,375 €10,75 €
10 - 184,84 €9,68 €
20 - 484,515 €9,03 €
50 - 984,195 €8,39 €
100 +3,87 €7,74 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
226-6118
Référence fabricant:
IKW50N65EH5XKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

30V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

275 W

Configuration

Simple

Type de boîtier

PG-TO247

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Infineon IKW50N65EH5 est un IGBT à commutation rigide haute vitesse de 650 V qui a utilisé la technologie Rapid SI-diode. Il est doté d'une conception à densité de puissance plus élevée et d'un faible COES/EOSS.

Facteur 2,5 Qg inférieur
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat

Nos clients ont également consulté