IGBT, IKW50N65EH5XKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247, 3 broches

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Code commande RS:
226-6116
Référence fabricant:
IKW50N65EH5XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

30V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

275 W

Configuration

Simple

Type de boîtier

PG-TO247

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Infineon IKW50N65EH5 est un IGBT à commutation rigide haute vitesse de 650 V qui a utilisé la technologie Rapid SI-diode. Il est doté d'une conception à densité de puissance plus élevée et d'un faible COES/EOSS.

Facteur 2,5 Qg inférieur
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat

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