Module IGBT Infineon, 50 A, 650 V, 3 broches , PG-TO-247
- Code commande RS:
- 259-1526
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,412 € | 72,36 € |
| 60 - 120 | 2,292 € | 68,76 € |
| 150 + | 2,195 € | 65,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 259-1526
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 305W | |
| Type de Boitier | PG-TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 ±30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 305W | ||
Type de Boitier PG-TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 ±30 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC | ||
Standard automobile Non | ||
La nouvelle technologie TRENCHSTOPIGBT d'Infineon redéfinit l'IGBT "meilleur de sa catégorie" en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications à commutation difficile. La nouvelle famille est une grande avancée dans l'innovation IGBT pour répondre aux exigences de haut rendement du marché de demain. Il est doté d'un meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse, ce qui entraîne une plus grande fiabilité du dispositif. Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité.
Tension de rupture de 650 V
Par rapport à la famille HighSpeed 3 d'Infineon, la meilleure de sa catégorie
Facteur 2,5 Qg inférieur
Réduction par facteur 2 des pertes de commutation
Réduction de 200 mV en V CE(sat)
Faible C OES/E OSS
Coefficient de température positif léger V CE(sat)
Température stable
