Module transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247-3

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

10,77 €

HT

12,924 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 188 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 85,385 €10,77 €
10 - 184,85 €9,70 €
20 - 484,52 €9,04 €
50 - 984,21 €8,42 €
100 +3,935 €7,87 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
259-1527
Référence fabricant:
IGW50N65F5FKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

305 W

Type de boîtier

PG-TO247-3

La nouvelle technologie TRENCHSTOPIGBT d'Infineon redéfinit l'IGBT "meilleur de sa catégorie" en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications à commutation difficile. La nouvelle famille est une grande avancée dans l'innovation IGBT pour répondre aux exigences de haut rendement du marché de demain. Il est doté d'un meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse, ce qui entraîne une plus grande fiabilité du dispositif. Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité.

Tension de rupture de 650 V
Par rapport à la famille HighSpeed 3 d'Infineon, la meilleure de sa catégorie
Facteur 2,5 Qg inférieur
Réduction par facteur 2 des pertes de commutation
Réduction de 200 mV en V CE(sat)
Faible C OES/E OSS
Coefficient de température positif léger V CE(sat)
Température stable

Nos clients ont également consulté