Module IGBT Non Infineon, 50 A, 650 V, 3 broches, PG-TO-247
- Code commande RS:
- 259-1532
- Référence fabricant:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,484 € | 74,52 € |
| 60 - 120 | 2,36 € | 70,80 € |
| 150 + | 2,26 € | 67,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 259-1532
- Référence fabricant:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 305W | |
| Type de Boitier | PG-TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 ±30 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 41.42mm | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Normes/homologations | JEDEC, RoHS | |
| Largeur | 16.13 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 305W | ||
Type de Boitier PG-TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 ±30 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 41.42mm | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Normes/homologations JEDEC, RoHS | ||
Largeur 16.13 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor IGBT à commutation rapide d'Infineon est fourni avec une diode anti-parallèle rapide et souple RAPID 1 dans un boîtier TO-247, défini comme un transistor IGBT "meilleur de sa catégorie". Il est doté d'un meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse, ce qui entraîne une plus grande fiabilité du dispositif. Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité.
Tension de rupture de 650 V
Par rapport à la meilleure famille HighSpeed 3 de sa catégorie
Facteur 2,5 Qg inférieur
Réduction par facteur 2 des pertes de commutation
Réduction de 200 mV dans VCEsat
Equipé de la technologie Rapid Si-Diode
Faible COES/EOSS
Coefficient de température positif léger VCEsa