Module transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Code commande RS:
- 259-1533
- Référence fabricant:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,895 € | 7,79 € |
| 10 - 18 | 3,43 € | 6,86 € |
| 20 - 48 | 3,24 € | 6,48 € |
| 50 - 98 | 3,005 € | 6,01 € |
| 100 + | 2,76 € | 5,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 259-1533
- Référence fabricant:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 305 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 305 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Le transistor IGBT à commutation rapide d'Infineon est fourni avec une diode anti-parallèle rapide et souple RAPID 1 dans un boîtier TO-247, défini comme un transistor IGBT "meilleur de sa catégorie". Il est doté d'un meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse, ce qui entraîne une plus grande fiabilité du dispositif. Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité.
Tension de rupture de 650 V
Par rapport à la meilleure famille HighSpeed 3 de sa catégorie
Facteur 2,5 Qg inférieur
Réduction par facteur 2 des pertes de commutation
Réduction de 200 mV dans VCEsat
Equipé de la technologie Rapid Si-Diode
Faible COES/EOSS
Coefficient de température positif léger VCEsa
Par rapport à la meilleure famille HighSpeed 3 de sa catégorie
Facteur 2,5 Qg inférieur
Réduction par facteur 2 des pertes de commutation
Réduction de 200 mV dans VCEsat
Equipé de la technologie Rapid Si-Diode
Faible COES/EOSS
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