Références fabricant

Module IGBT Non Infineon, 50 A, 650 V, 3 broches, PG-TO-247

Code commande RS:: 259-1533
Référence fabricant:: IKW50N65F5FKSA1
Marque:: Infineon

Module IGBT Non Infineon, 50 A, 650 V, 3 broches, PG-TO-247

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Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 8	4,415 €	8,83 €
10 - 18	3,89 €	7,78 €
20 - 48	3,67 €	7,34 €
50 - 98	3,40 €	6,80 €
100 +	3,14 €	6,28 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 259-1533
Référence fabricant:: IKW50N65F5FKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc	50A
	Type de produit	Module IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	650V
	Dissipation de puissance maximum Pd	305W
	Type de Boitier	PG-TO-247
	Nombre de broches	3
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 ±30 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.6V
	Température minimum de fonctionnement	-40°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	41.42mm
	Normes/homologations	JEDEC, RoHS
	Largeur	16.13 mm
	Série	High Speed Fifth Generation
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc 50A
	Type de produit Module IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V
	Dissipation de puissance maximum Pd 305W
	Type de Boitier PG-TO-247
	Nombre de broches 3
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 ±30 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V
	Température minimum de fonctionnement -40°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 41.42mm
	Normes/homologations JEDEC, RoHS
	Largeur 16.13 mm
	Série High Speed Fifth Generation
	Standard automobile Non

Datasheet - IKW50N65F5FKSA1

Le transistor IGBT à commutation rapide d'Infineon est fourni avec une diode anti-parallèle rapide et souple RAPID 1 dans un boîtier TO-247, défini comme un transistor IGBT "meilleur de sa catégorie". Il est doté d'un meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse, ce qui entraîne une plus grande fiabilité du dispositif. Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité.

Tension de rupture de 650 V

Par rapport à la meilleure famille HighSpeed 3 de sa catégorie

Facteur 2,5 Qg inférieur

Réduction par facteur 2 des pertes de commutation

Réduction de 200 mV dans VCEsat

Equipé de la technologie Rapid Si-Diode

Faible COES/EOSS

Coefficient de température positif léger VCEsa

Module IGBT Non Infineon, 50 A, 650 V, 3 broches, PG-TO-247

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

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