Module IGBT Non Infineon, 100 A, 1200 V, Module Panneau
- Code commande RS:
- 273-7408
- Référence fabricant:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 84,042 € | 840,42 € |
| 100 + | 77,066 € | 770,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7408
- Référence fabricant:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 100A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 355W | |
| Type de Boitier | Module | |
| Type de montage | Panneau | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.15V | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Longueur | 122mm | |
| Hauteur | 20.5mm | |
| Normes/homologations | EN61140, IEC61140 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 100A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 355W | ||
Type de Boitier Module | ||
Type de montage Panneau | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.15V | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Longueur 122mm | ||
Hauteur 20.5mm | ||
Normes/homologations EN61140, IEC61140 | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT d'Infineon est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 1 200 V et d'un courant de collecteur c.c. continu de 75 A. Il est doté d'une conception de module à faible inductance de fuite. Ce module IGBT est disponible avec TRENCHSTOP IGBT3 rapide, diode haute efficacité contrôlée par émetteur et NTC.
Résistance thermique
Haute densité de puissance
Concept de module compact
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