Module IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, , 100 A, 1 200 V, Module
- Code commande RS:
- 273-7408
- Référence fabricant:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 plateau de 10 unités)*
1 690,82 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 169,082 € | 1 690,82 € |
| 100 + | 155,048 € | 1 550,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7408
- Référence fabricant:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 100 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1 200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 355 W | |
| Type de boîtier | Module | |
| Type de montage | Montage panneau | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 100 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1 200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Dissipation de puissance maximum 355 W | ||
Type de boîtier Module | ||
Type de montage Montage panneau | ||
Le module IGBT d'Infineon est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 1 200 V et d'un courant de collecteur c.c. continu de 75 A. Il est doté d'une conception de module à faible inductance de fuite. Ce module IGBT est disponible avec TRENCHSTOP IGBT3 rapide, diode haute efficacité contrôlée par émetteur et NTC.
Résistance thermique
Haute densité de puissance
Concept de module compact
Haute densité de puissance
Concept de module compact