IGBT, IHW20N65R5XKSA1, , 40 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 273-7440
- Référence fabricant:
- IHW20N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,568 € | 47,04 € |
| 120 + | 1,438 € | 43,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7440
- Référence fabricant:
- IHW20N65R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 40 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 150 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247-3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 40 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 150 W | ||
Type de boîtier PG-TO247-3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
L'IGBT d'Infineon est un IGBT à conducteur inverse avec diode de corps monolithique. Cette IGBT est dotée d'une diode de conduction inverse monolithique puissante avec une faible tension directe et est certifiée conformément à la norme JESD022 pour les applications cibles. Il a une capacité de commutation parallèle simple grâce au coefficient de température positif de VCEsat. Cet IGBT est recommandé pour la cuisson par induction, les fours à micro-ondes à inverseur Zed et les convertisseurs résonants.
Faible IEM
Sans halogène
Conforme à la directive RoHS
Haute robustesse
Placage de plomb sans plomb
Comportement à température stable
Très faible VCEsat et faible Eoff
Distribution de paramètres très étroite
Sans halogène
Conforme à la directive RoHS
Haute robustesse
Placage de plomb sans plomb
Comportement à température stable
Très faible VCEsat et faible Eoff
Distribution de paramètres très étroite