IGBT, IRG4PF50WDPBF, , 51 A, 900 V, TO-247AC, 3 broches, Simple

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Code commande RS:
541-2076
Référence fabricant:
IRG4PF50WDPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

51 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

900 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Type de boîtier

TO-247AC

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

15.9 x 5.3 x 20.3mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Pays d'origine :
GB

IGBT multiple, plus de 21 A, Infineon


Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), d'Infineon, fournissent à l'utilisateur une gamme complète d'options pour assurer la couverture de votre application. Les valeurs nominales de haut rendement permettent d'utiliser cette gamme d'IGBT dans un large éventail d'applications et de prendre en charge différentes fréquences de commutation grâce aux faibles pertes de commutation.

IGBT emballé avec une diode antiparallèle à récupération douce ultrarapide pour une utilisation dans les configurations de pont


Transistors IGBT, International Rectifier


International Rectifier offre un vaste portefeuille d'IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) allant de 300 à 1 200 V basés sur différentes technologies permettant de réduire les pertes en commutation et conduction. Le but est d'accroître le rendement, de réduire les problèmes thermiques et d'améliorer la densité de puissance. La société offre également une large gamme de matrices IGBT conçues spécifiquement pour les modules de puissances moyenne à forte. Pour les modules exigeant une très grande fiabilité, des matrices en métal avant soudables peuvent être utilisées pour éliminer les fils de connexion et permettre le refroidissement double face pour des performances thermiques élevées, une grande fiabilité et un rendement optimisé.