Module IGBT, SKM150GAR12T4 , , 232 A, 1200 V, SEMITRANS2, 5 broches, Simple
- Code commande RS:
- 687-4955
- Référence fabricant:
- SKM150GAR12T4
- Marque:
- Semikron Danfoss
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 98,94 € |
| 10 - 19 | 73,51 € |
| 20 + | 69,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 687-4955
- Référence fabricant:
- SKM150GAR12T4
- Marque:
- Semikron Danfoss
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 232 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Configuration | Simple | |
| Type de boîtier | SEMITRANS2 | |
| Type de montage | Montage panneau | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 94 x 34 x 30.1mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Courant continu de Collecteur maximum 232 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Configuration Simple | ||
Type de boîtier SEMITRANS2 | ||
Type de montage Montage panneau | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 5 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 94 x 34 x 30.1mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Modules IGBT simples
SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
Modules IGBT, Semikron
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.