Références fabricant

Transistor bipolaire à grille isolée Toshiba, canal Type N, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-3P, montage Traversant

Code commande RS:: 796-5058P
Référence fabricant:: GT30J121
Marque:: Toshiba

Transistor bipolaire à grille isolée Toshiba, canal Type N, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-3P, montage Traversant

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Code commande RS:: 796-5058P
Référence fabricant:: GT30J121
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Courant continu de Collecteur maximum lc	30A
	Type de produit	Transistor bipolaire à grille isolée
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	170W
	Type de Boitier	TO-3P
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	1MHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.45V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Courant continu de Collecteur maximum lc 30A
	Type de produit Transistor bipolaire à grille isolée
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 170W
	Type de Boitier TO-3P
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 1MHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.45V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

GT30J121, Silicon N-Channel IGBT Data Sheet

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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