IGBT-Field Stop II onsemi, canal Type N, 80 A, 650 V, 1 MHz, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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842-7905
Référence fabricant:
NGTB40N65FL2WG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

80A

Type de produit

IGBT-Field Stop II

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

366W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.3mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

21.34mm

Série

Field Stop

Standard automobile

Non

IGBT Discretes, ON Semi-conducteur


Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.

IGBT Discretes, ON Semi-conducteur


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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