IGBT-Ultra Field Stop onsemi, canal Type N, 25 A, 1200 V, 1 MHz, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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123-8830
Référence fabricant:
NGTB25N120FL3WG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

25A

Type de produit

IGBT-Ultra Field Stop

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

349W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.7V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Field Stop

Longueur

20.8mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

IGBT Discretes, ON Semi-conducteur


Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.

IGBT Discretes, ON Semi-conducteur


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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