IGBT Non onsemiCanal-Type N, 40 A, 1200 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 864-8855
- Référence fabricant:
- FGH40T120SMD
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
8,58 €
HT
10,30 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 6 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 450 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,58 € |
| 10 - 99 | 7,39 € |
| 100 - 249 | 6,11 € |
| 250 - 499 | 5,77 € |
| 500 + | 5,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 864-8855
- Référence fabricant:
- FGH40T120SMD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 555W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±25 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | Field Stop | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 555W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±25 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série Field Stop | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
