IGBT Non onsemiCanal-Type N Émetteur commun, 160 A, 1200 V, 4 broches, TO-247-4L 1 Traversant

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277-079
Référence fabricant:
FGY4L160T120SWD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

160A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum Pd

1.5kW

Type de Boitier

TO-247-4L

Configuration

Émetteur commun

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

4

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

22.54mm

Longueur

15.8mm

Largeur

5 mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
L'IGBT et la diode Gen7 de ON Semiconductor en boîtier TO247 à 4 pattes offrent des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction, permettant des opérations à haut rendement. Ces composants sont conçus pour être utilisés dans diverses applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI) et les systèmes de stockage d'énergie (SSE), assurant une gestion fiable et efficace de l'énergie dans ces environnements exigeants.

Haute capacité de courant

Commutation fluide et optimisée

Faible perte de commutation

Conformité RoHS

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