IGBT, FGY4L160T120SWD, , 160 A, 1 200 V, TO-247-4L, 4 broches

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277-079
Référence fabricant:
FGY4L160T120SWD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

160 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1 200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

1,5 kW

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

TO-247-4L

Configuration

Emetteur commun

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

4

Pays d'origine :
CN
L'IGBT et la diode Gen7 de ON Semiconductor en boîtier TO247 à 4 pattes offrent des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction, permettant des opérations à haut rendement. Ces composants sont conçus pour être utilisés dans diverses applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI) et les systèmes de stockage d'énergie (SSE), assurant une gestion fiable et efficace de l'énergie dans ces environnements exigeants.

Haute capacité de courant
Commutation fluide et optimisée
Faible perte de commutation
Conformité RoHS

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