IGBT-Ultra Field Stop Non onsemiCanal-Type N, 25 A, 1200 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 123-8830P
- Référence fabricant:
- NGTB25N120FL3WG
- Marque:
- onsemi
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 123-8830P
- Référence fabricant:
- NGTB25N120FL3WG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 25A | |
| Type de produit | IGBT-Ultra Field Stop | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 349W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.7V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | Field Stop | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 20.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 25A | ||
Type de produit IGBT-Ultra Field Stop | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 349W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.7V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série Field Stop | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 20.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.