- Code commande RS:
- 163-0258
- Référence fabricant:
- NGTB35N65FL2WG
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en tube de 30)
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HT
4,691 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
30 - 90 | 3,909 € | 117,27 € |
120 - 240 | 3,116 € | 93,48 € |
270 - 480 | 2,952 € | 88,56 € |
510 - 990 | 2,791 € | 83,73 € |
1020 + | 2,468 € | 74,04 € |
*Prix donné à titre indicatif |
Proposition de remplacement
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- Code commande RS:
- 163-0258
- Référence fabricant:
- NGTB35N65FL2WG
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 70 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 300 W |
Type de boîtier | A-247 |
Type de montage | Traversant |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Vitesse de découpage | 1MHz |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |