IGBT, NGTB35N65FL2WG, , 70 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 163-0258
- Référence fabricant:
- NGTB35N65FL2WG
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 3,584 € | 107,52 € |
| 120 - 240 | 2,857 € | 85,71 € |
| 270 - 480 | 2,706 € | 81,18 € |
| 510 - 990 | 2,56 € | 76,80 € |
| 1020 + | 2,264 € | 67,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-0258
- Référence fabricant:
- NGTB35N65FL2WG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 70 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 300 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 70 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 300 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.