IGBT, FGH40T120SQDNL4, , 160 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple
- Code commande RS:
- 178-4594
- Référence fabricant:
- FGH40T120SQDNL4
- Marque:
- onsemi
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l'unité (en tube de 30)
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TTC
- Code commande RS:
- 178-4594
- Référence fabricant:
- FGH40T120SQDNL4
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 160 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±30V | |
| Dissipation de puissance maximum | 454 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | P | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Capacité de grille | 5000pF | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 160 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±30V | ||
Dissipation de puissance maximum 454 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal P | ||
Nombre de broches 4 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Capacité de grille 5000pF | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
On Semiconductor
On Semiconductor est un transistor IGBT à montage traversant à canal P TO-247-4L. Il est doté d'une intensité nominale maximale de 160 A et d'une tension nominale maximale de 1 200 V. Cet IGBT est un dispositif robuste et économique qui fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes. Il offre à la fois une faible tension à l'état passant et une perte de commutation minimale. Une diode de roue libre, souple et rapide, co-emballée, avec une faible tension directe, est incorporée dans ce dispositif.
Caractéristiques et avantages
• Economique
Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
• Dispositif sans halogénure
Haute durabilité
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
• Optimisé pour la commutation haute vitesse
Dispositif sans plomb
• Diode de récupération inverse rapide et souple
Le TJmax est de 175 °C.
Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
• Dispositif sans halogénure
Haute durabilité
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
• Optimisé pour la commutation haute vitesse
Dispositif sans plomb
• Diode de récupération inverse rapide et souple
Le TJmax est de 175 °C.
Applications
Inverseurs solaires
• Onduleur
• Soudage
• Onduleur
• Soudage
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
BS EN 61340-5-1:2007