IGBT Non onsemiCanal-Type P, 40 A, 1200 V, 4 broches, TO-247 Traversant

Voir l’ensemble des IGBT
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

8,18 €

HT

9,82 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
1 - 98,18 €
10 +7,06 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
178-4594
Référence fabricant:
FGH40T120SQDNL4
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

227W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type P

Nombre de broches

4

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.78V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Field Stop

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est équipé d'une structure de tranchée à arrêt de champ robuste et rentable, et fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l'état passant et des pertes de commutation minimales. L'IGBT est bien adapté pour les applications d'onduleur et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre rapide et progressive avec une faible tension directe.

Tranchée à très haut rendement avec la technologie d'arrêt de champ • TJmax = 175 °C • Diode de récupération inverse rapide et progressive • Optimisée pour la commutation haute vitesse • Ces dispositifs sont sans plomb

Applications

Inverseur solaire, onduleur, poste de soudage

Nos clients ont également consulté