IGBT onsemi, canal Type P, 40 A, 1200 V, 4 broches , TO-247, montage Traversant

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Code commande RS:
178-4321
Référence fabricant:
FGH40T120SQDNL4
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

227W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type P

Nombre de broches

4

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.78V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Field Stop

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est équipé d'une structure de tranchée à arrêt de champ robuste et rentable, et fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l'état passant et des pertes de commutation minimales. L'IGBT est bien adapté pour les applications d'onduleur et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre rapide et progressive avec une faible tension directe.

Tranchée à très haut rendement avec la technologie d'arrêt de champ • TJmax = 175 °C • Diode de récupération inverse rapide et progressive • Optimisée pour la commutation haute vitesse • Ces dispositifs sont sans plomb

Applications

Inverseur solaire, onduleur, poste de soudage

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