IGBT, FGH60T65SQD-F155, , 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 178-4627
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,775 € | 9,55 € |
| 20 + | 4,12 € | 8,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4627
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 60 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±30V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 333 W | |
| Type de boîtier | TO-247 G03 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | P | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Indice énergétique | 50mJ | |
| Capacité de grille | 3813pF | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 60 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±30V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 333 W | ||
Type de boîtier TO-247 G03 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal P | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Indice énergétique 50mJ | ||
Capacité de grille 3813pF | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
Grâce à la toute dernière technologie IGBT à arrêt de champ, la nouvelle série d'IGBT de 4ème génération à arrêt de champ d'ON Semiconductor offre des performances optimales pour les applications d'inverseur solaire, d'onduleur, de poste à souder, de télécommunications, d'ESS et de PFC, dans lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C
Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile
Haute intensité de courant
Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 60 A
Impédance d'entrée élevée
Commutation rapide
Distribution de paramètres serrée
Applications
Inverseur solaire, onduleur, poste à souder, télécommunications, ESS, PFC
Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile
Haute intensité de courant
Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 60 A
Impédance d'entrée élevée
Commutation rapide
Distribution de paramètres serrée
Applications
Inverseur solaire, onduleur, poste à souder, télécommunications, ESS, PFC