IGBT Non onsemiCanal-Type P, 60 A, 650 V, 3 broches, TO-247 G03 Traversant
- Code commande RS:
- 178-4627
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,775 € | 9,55 € |
| 20 + | 4,12 € | 8,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4627
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 60A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Type de Boitier | TO-247 G03 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | Field Stop 4th Generation | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 50mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 60A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Type de Boitier TO-247 G03 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série Field Stop 4th Generation | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 50mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Grâce à la toute dernière technologie IGBT à arrêt de champ, la nouvelle série d'IGBT de 4ème génération à arrêt de champ d'ON Semiconductor offre des performances optimales pour les applications d'inverseur solaire, d'onduleur, de poste à souder, de télécommunications, d'ESS et de PFC, dans lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C
Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile
Haute intensité de courant
Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 60 A
Impédance d'entrée élevée
Commutation rapide
Distribution de paramètres serrée
Applications
Inverseur solaire, onduleur, poste à souder, télécommunications, ESS, PFC