IGBT, FGH75T65SQDNL4, , 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est équipé d'une structure de tranchée à arrêt de champ robuste et rentable, et fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l'état passant et des pertes de commutation minimales. De plus, ce nouveau dispositif est fourni dans un boîtier TO-247-4L qui permet de réduire considérablement les pertes Eon comparé au boîtier standard TO-247-3L. L'IGBT est bien adapté pour les applications d'onduleur et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre rapide et progressive avec une faible tension directe.

Tranchée extrêmement efficace avec technologie à arrêt champ
TJmax = 175 °C
Commande de porte améliorée et diminution des pertes de commutation
Broche d’entraînement à émetteur séparé
TO-247-4L pour un minimum de pertes Eon
Optimisé pour une commutation haute vitesse
Dispositifs sans plomb
Inverseur solaire
Alimentations in-interruptibles pour onduleurs
Structure NPC (clampé par le neutre)