IGBT Non onsemiCanal-Type P, 75 A, 650 V 1 MHz, 4 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 181-1864
- Référence fabricant:
- FGH75T65SQDNL4
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 181-1864
- Référence fabricant:
- FGH75T65SQDNL4
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.43V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | Field Stop IV | |
| Normes/homologations | Pb-Free, Halide Free | |
| Energie | 160mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.43V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série Field Stop IV | ||
Normes/homologations Pb-Free, Halide Free | ||
Energie 160mJ | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est équipé d'une structure de tranchée à arrêt de champ robuste et rentable, et fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l'état passant et des pertes de commutation minimales. De plus, ce nouveau dispositif est fourni dans un boîtier TO-247-4L qui permet de réduire considérablement les pertes Eon comparé au boîtier standard TO-247-3L. L'IGBT est bien adapté pour les applications d'onduleur et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre rapide et progressive avec une faible tension directe.
Tranchée extrêmement efficace avec technologie à arrêt champ
TJmax = 175 °C
Commande de porte améliorée et diminution des pertes de commutation
Broche d’entraînement à émetteur séparé
TO-247-4L pour un minimum de pertes Eon
Optimisé pour une commutation haute vitesse
Dispositifs sans plomb
Inverseur solaire
Alimentations in-interruptibles pour onduleurs
Structure NPC (clampé par le neutre)