Références fabricant

IGBT onsemi, canal Type P, 75 A, 650 V, 1 MHz, 4 broches , TO-247, montage Traversant

Code commande RS:: 181-1929
Référence fabricant:: FGH75T65SQDNL4
Marque:: onsemi

IGBT onsemi, canal Type P, 75 A, 650 V, 1 MHz, 4 broches , TO-247, montage Traversant

Pénurie d'approvisionnement

En raison d'une pénurie d'approvisionnement mondial, nous ne savons pas quand ce produit sera à nouveau en stock.

Code commande RS:: 181-1929
Référence fabricant:: FGH75T65SQDNL4
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc	75A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	650V
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type P
	Nombre de broches	4
	Vitesse de découpage	1MHz
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.43V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	Pb-Free, Halide Free
	Série	Field Stop IV
	Energie	160mJ
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc 75A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type P
	Nombre de broches 4
	Vitesse de découpage 1MHz
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.43V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations Pb-Free, Halide Free
	Série Field Stop IV
	Energie 160mJ
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est équipé d'une structure de tranchée à arrêt de champ robuste et rentable, et fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l'état passant et des pertes de commutation minimales. De plus, ce nouveau dispositif est fourni dans un boîtier TO-247-4L qui permet de réduire considérablement les pertes Eon comparé au boîtier standard TO-247-3L. L'IGBT est bien adapté pour les applications d'onduleur et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre rapide et progressive avec une faible tension directe.

Tranchée extrêmement efficace avec technologie à arrêt champ

TJmax = 175 °C

Commande de porte améliorée et diminution des pertes de commutation

Broche d’entraînement à émetteur séparé

TO-247-4L pour un minimum de pertes Eon

Optimisé pour une commutation haute vitesse

Dispositifs sans plomb

Inverseur solaire

Alimentations in-interruptibles pour onduleurs

Structure NPC (clampé par le neutre)

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