IGBT, FGH75T65SQDNL4, , 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple
- Code commande RS:
- 181-1929
- Référence fabricant:
- FGH75T65SQDNL4
- Marque:
- onsemi
Pénurie d'approvisionnement
En raison d'une pénurie d'approvisionnement mondial, nous ne savons pas quand ce produit sera à nouveau en stock.
- Code commande RS:
- 181-1929
- Référence fabricant:
- FGH75T65SQDNL4
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 200 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 375 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | P | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Capacité de grille | 5100pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Indice énergétique | 160mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 200 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 375 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal P | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Capacité de grille 5100pF | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Indice énergétique 160mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est équipé d'une structure de tranchée à arrêt de champ robuste et rentable, et fournit des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l'état passant et des pertes de commutation minimales. De plus, ce nouveau dispositif est fourni dans un boîtier TO-247-4L qui permet de réduire considérablement les pertes Eon comparé au boîtier standard TO-247-3L. L'IGBT est bien adapté pour les applications d'onduleur et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre rapide et progressive avec une faible tension directe.
Tranchée extrêmement efficace avec technologie à arrêt champ
TJmax = 175 °C
Commande de porte améliorée et diminution des pertes de commutation
Broche d’entraînement à émetteur séparé
TO-247-4L pour un minimum de pertes Eon
Optimisé pour une commutation haute vitesse
Dispositifs sans plomb
Inverseur solaire
Alimentations in-interruptibles pour onduleurs
Structure NPC (clampé par le neutre)
TJmax = 175 °C
Commande de porte améliorée et diminution des pertes de commutation
Broche d’entraînement à émetteur séparé
TO-247-4L pour un minimum de pertes Eon
Optimisé pour une commutation haute vitesse
Dispositifs sans plomb
Inverseur solaire
Alimentations in-interruptibles pour onduleurs
Structure NPC (clampé par le neutre)