IGBT Non onsemiCanal-Type N Émetteur commun, 200 A, 1200 V, 4 broches, TO-247-4L 1 Traversant
- Code commande RS:
- 277-076
- Référence fabricant:
- FGY4L100T120SWD
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,82 € |
| 10 - 99 | 9,74 € |
| 100 - 499 | 9,00 € |
| 500 - 999 | 8,34 € |
| 1000 + | 7,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 277-076
- Référence fabricant:
- FGY4L100T120SWD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 200A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.07KW | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | TO-247-4L | |
| Configuration | Émetteur commun | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 22.54mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 200A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.07KW | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier TO-247-4L | ||
Configuration Émetteur commun | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.8mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 22.54mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT et la diode Gen7 de ON Semiconductor en boîtier TO247 à 4 pattes offrent des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction, permettant des opérations à haut rendement. Ces composants sont conçus pour être utilisés dans diverses applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI) et les systèmes de stockage d'énergie (SSE), assurant une gestion fiable et efficace de l'énergie dans ces environnements exigeants.
Haute capacité de courant
Commutation fluide et optimisée
Faible perte de commutation
Conformité RoHS
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