IGBT Non onsemiCanal-Type N Émetteur commun, 75 A, 1200 V, 4 broches, TO-247-4L 1 Traversant

Voir l’ensemble des IGBT
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

9,58 €

HT

11,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 99,58 €
10 - 998,63 €
100 - 4997,96 €
500 - 9997,38 €
1000 +6,61 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
277-080
Référence fabricant:
FGY4L75T120SWD
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

75A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

652W

Nombre de transistors

1

Configuration

Émetteur commun

Type de Boitier

TO-247-4L

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

4

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

5 mm

Longueur

15.8mm

Hauteur

22.54mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
L'IGBT et la diode Gen7 de ON Semiconductor en boîtier TO247 à 4 pattes offrent des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction, permettant des opérations à haut rendement. Ces composants sont conçus pour être utilisés dans diverses applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI) et les systèmes de stockage d'énergie (SSE), assurant une gestion fiable et efficace de l'énergie dans ces environnements exigeants.

Haute capacité de courant

Commutation fluide et optimisée

Faible perte de commutation

Conformité RoHS

Nos clients ont également consulté