IGBT Non onsemiCanal-N Émetteur commun, 75 A, 1.2 kV, 4 broches, TO-247-4L 1 Traversant

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Code commande RS:
277-080
Référence fabricant:
FGY4L75T120SWD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

75A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1.2kV

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum Pd

652W

Configuration

Émetteur commun

Type de Boitier

TO-247-4L

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

4

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.8mm

Largeur

5mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

22.54mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
L'IGBT et la diode Gen7 de ON Semiconductor en boîtier TO247 à 4 pattes offrent des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction, permettant des opérations à haut rendement. Ces composants sont conçus pour être utilisés dans diverses applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI) et les systèmes de stockage d'énergie (SSE), assurant une gestion fiable et efficace de l'énergie dans ces environnements exigeants.

Haute capacité de courant

Commutation fluide et optimisée

Faible perte de commutation

Conformité RoHS

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