IGBT, FGY4L75T120SWD, , 75 A, 1 200 V, TO-247-4L, 4 broches

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Code commande RS:
277-080
Référence fabricant:
FGY4L75T120SWD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

75 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1 200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

652 W

Configuration

Emetteur commun

Type de boîtier

TO-247-4L

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

4

Pays d'origine :
CN
L'IGBT et la diode Gen7 de ON Semiconductor en boîtier TO247 à 4 pattes offrent des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction, permettant des opérations à haut rendement. Ces composants sont conçus pour être utilisés dans diverses applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI) et les systèmes de stockage d'énergie (SSE), assurant une gestion fiable et efficace de l'énergie dans ces environnements exigeants.

Haute capacité de courant
Commutation fluide et optimisée
Faible perte de commutation
Conformité RoHS

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