IGBT Non onsemiCanal-Type N, 40 A, 1200 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 124-1446
- Référence fabricant:
- FGH40T120SMD
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 5,08 € | 152,40 € |
| 150 - 270 | 4,404 € | 132,12 € |
| 300 + | 4,212 € | 126,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-1446
- Référence fabricant:
- FGH40T120SMD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 555W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±25 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | Field Stop | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 555W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±25 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série Field Stop | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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