IGBT, FGA60N65SMD, , 120 A, 650 V, TO-3PN, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 864-8795
- Référence fabricant:
- FGA60N65SMD
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
5,80 €
HT
6,96 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 10 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 235 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,80 € |
| 10 + | 4,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 864-8795
- Référence fabricant:
- FGA60N65SMD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 120 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 600 W | |
| Type de boîtier | TO-3PN | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 120 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 600 W | ||
Type de boîtier TO-3PN | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.