IGBT onsemi, canal N, 120 A, 650 V, 140 ns, 3 broches , TO-3PN, montage Traversant

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864-8795
Référence fabricant:
FGA60N65SMD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

120A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

600W

Type de Boitier

TO-3PN

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

140ns

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Field Stop

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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