IGBT Non onsemiCanal-Type N, 120 A, 650 V 140 ns, 3 broches, TO-3PN Traversant

Voir l’ensemble des IGBT
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

5,80 €

HT

6,96 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 142 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
  • Plus 31 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 95,80 €
10 +4,99 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
864-8795
Référence fabricant:
FGA60N65SMD
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

120A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

600W

Type de Boitier

TO-3PN

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

140ns

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.5V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Field Stop

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté