IGBT Non onsemiCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-3PF Traversant
- Code commande RS:
- 185-7999
- Référence fabricant:
- FGAF40S65AQ
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 360 unités)*
340,92 €
HT
408,96 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 360 + | 0,947 € | 340,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-7999
- Référence fabricant:
- FGAF40S65AQ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 94W | |
| Type de Boitier | TO-3PF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 15.3 mm | |
| Série | Trench | |
| Longueur | 19.1mm | |
| Normes/homologations | Pb-Free and is RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 325mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 94W | ||
Type de Boitier TO-3PF | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 15.3 mm | ||
Série Trench | ||
Longueur 19.1mm | ||
Normes/homologations Pb-Free and is RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 325mJ | ||
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- KR
Grâce à la nouvelle technologie IGBT d'arrêt de champ, on Semiconductor de la nouvelle série d'arrêt de champ 4e génération de RC IGBT offre les performances optimales pour le niveau de PFC de convertisseur de consommables et d'applications industrielles.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
CO-efficacité positive de tempéraure pour un fonctionnement parallèle facile
Capacité de courant élevé
Tension de saturation faible : VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.
Impédance d'entrée élevée
100% des pièces testées pour ILM
Commutation rapide
Resserrement de la distribution des paramètres
IGBT avec diode monolithique à conducteur inversé
Applications
Appareils grand public
PFC, soudure
Application industrielle