IGBT AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-263 Surface

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Code commande RS:
185-8642
Référence fabricant:
AFGB40T65SQDN
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

80A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

238W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, Pb-Free

Longueur

9.65mm

Hauteur

4.06mm

Standard automobile

AEC-Q101

Energie

22.3mJ

Non conforme RoHS

Pays d'origine :
CN
L'utilisation du nouveau champ arrête la technologie IGBT de 4e génération. AFGB40T65SQDN offre des performances optimales avec une perte de conduction faible et une perte de commutation pour un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications.

VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A

Diode de récupération souple VF basse

Pour l'automobile

Faible perte de conduction

Faible bruit et perte de conduction

Applications

Automobile à bord de charge

Convertisseur CC/CC automobile pour HEV

Produits finis

EV/PHEV

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