IGBT, AFGB40T65SQDN, , 80 A, 650 V, D2PAK, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 185-8642
- Référence fabricant:
- AFGB40T65SQDN
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,78 €
HT
9,34 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 3 146 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 + | 3,89 € | 7,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-8642
- Référence fabricant:
- AFGB40T65SQDN
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 238 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | D2PAK | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| Capacité de grille | 2495pF | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Indice énergétique | 22.3mJ | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 238 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier D2PAK | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
Capacité de grille 2495pF | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Indice énergétique 22.3mJ | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- CN
L'utilisation du nouveau champ arrête la technologie IGBT de 4e génération. AFGB40T65SQDN offre des performances optimales avec une perte de conduction faible et une perte de commutation pour un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications.
VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A
Diode de récupération souple VF basse
Pour l'automobile
Faible perte de conduction
Faible bruit et perte de conduction
Applications
Automobile à bord de charge
Convertisseur CC/CC automobile pour HEV
Produits finis
EV/PHEV
Diode de récupération souple VF basse
Pour l'automobile
Faible perte de conduction
Faible bruit et perte de conduction
Applications
Automobile à bord de charge
Convertisseur CC/CC automobile pour HEV
Produits finis
EV/PHEV