IGBT AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 185-7972
- Référence fabricant:
- AFGB40T65SQDN
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 987,20 €
HT
2 384,80 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,484 € | 1 987,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-7972
- Référence fabricant:
- AFGB40T65SQDN
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 238W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.06mm | |
| Largeur | 10.67 mm | |
| Longueur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | RoHS, Pb-Free | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Energie | 22.3mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 238W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.06mm | ||
Largeur 10.67 mm | ||
Longueur 9.65mm | ||
Normes/homologations RoHS, Pb-Free | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Energie 22.3mJ | ||
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- CN
L'utilisation du nouveau champ arrête la technologie IGBT de 4e génération. AFGB40T65SQDN offre des performances optimales avec une perte de conduction faible et une perte de commutation pour un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications.
VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A
Diode de récupération souple VF basse
Pour l'automobile
Faible perte de conduction
Faible bruit et perte de conduction
Applications
Automobile à bord de charge
Convertisseur CC/CC automobile pour HEV
Produits finis
EV/PHEV