Références fabricant

IGBT onsemi, canal Type N, 80 A, 650 V, 3 broches , TO-263, montage En surface

Code commande RS:: 185-7972
Référence fabricant:: AFGB40T65SQDN
Marque:: onsemi

IGBT onsemi, canal Type N, 80 A, 650 V, 3 broches , TO-263, montage En surface

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 987,20 €

2 384,80 €

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Stock limité

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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 +	2,484 €	1 987,20 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 185-7972
Référence fabricant:: AFGB40T65SQDN
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc	80A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	650V
	Dissipation de puissance maximum Pd	238W
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.6V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS, Pb-Free
	Hauteur	4.06mm
	Longueur	9.65mm
	Energie	22.3mJ
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc 80A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V
	Dissipation de puissance maximum Pd 238W
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS, Pb-Free
	Hauteur 4.06mm
	Longueur 9.65mm
	Energie 22.3mJ
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet AFGB40T65SQDN

Non conforme RoHS

Pays d'origine :: CN

L'utilisation du nouveau champ arrête la technologie IGBT de 4e génération. AFGB40T65SQDN offre des performances optimales avec une perte de conduction faible et une perte de commutation pour un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications.

VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A

Diode de récupération souple VF basse

Pour l'automobile

Faible perte de conduction

Faible bruit et perte de conduction

Applications

Automobile à bord de charge

Convertisseur CC/CC automobile pour HEV

Produits finis

EV/PHEV

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