IGBT, FGAF40N60UFTU, , 40 A, 600 V, TO-3PF, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 145-4338
- Référence fabricant:
- FGAF40N60UFTU
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
36,33 €
HT
43,59 €
TTC
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Dernier stock RS
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 1,211 € | 36,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-4338
- Référence fabricant:
- FGAF40N60UFTU
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 40 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 100 W | |
| Type de boîtier | TO-3PF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.5 x 5.5 x 26.5mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 40 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 100 W | ||
Type de boîtier TO-3PF | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.5 x 5.5 x 26.5mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.