Références fabricant

IGBT onsemi, canal N, 120 A, 600 V, 3 broches , TO-247AB, montage Traversant

Code commande RS:: 124-1320
Référence fabricant:: FGH60N60SMD
Marque:: onsemi

IGBT onsemi, canal N, 120 A, 600 V, 3 broches , TO-247AB, montage Traversant

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

123,36 €

148,02 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

Plus 360 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 30	4,112 €	123,36 €
60 - 120	3,948 €	118,44 €
150 +	3,824 €	114,72 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-1320
Référence fabricant:: FGH60N60SMD
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc	120A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	600W
	Type de Boitier	TO-247AB
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.9V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS Compliant
	Série	Field Stop 2nd generation
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc 120A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 600W
	Type de Boitier TO-247AB
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS Compliant
	Série Field Stop 2nd generation
	Standard automobile Non

Datasheet

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor

Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.