IGBT, FGH60N60SMD, , 120 A, 600 V, TO-247AB, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 739-4945
- Référence fabricant:
- FGH60N60SMD
- Marque:
- onsemi
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| 10 - 14 | 5,60 € |
| 15 - 19 | 5,42 € |
| 20 + | 5,31 € |
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- 739-4945
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- FGH60N60SMD
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- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 120 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 600 W |
| Type de boîtier | TO-247AB |
| Type de montage | Traversant |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |