IGBT Non onsemiCanal-Type N, 120 A, 600 V, 3 broches, TO-247AB Traversant

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

6,68 €

HT

8,02 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Commandes ci-dessous 50,00 € coût (HT) 8,50 €.
En stock
  • 189 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 416 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 96,68 €
10 +5,76 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
739-4945
Référence fabricant:
FGH60N60SMD
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

120A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

600W

Type de Boitier

TO-247AB

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.9V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Série

Field Stop 2nd generation

Standard automobile

Non

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté