IGBT Non onsemiCanal-Type N, 120 A, 600 V, 3 broches, TO-247AB Traversant

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739-4945
Référence fabricant:
FGH60N60SMD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

120A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

600W

Type de Boitier

TO-247AB

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.9V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Field Stop 2nd generation

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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