IGBT, FGAF40S65AQ, , 80 A, 650 V, TO-3PF, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 185-8956
- Référence fabricant:
- FGAF40S65AQ
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 paquet de 3 unités)*
2,871 €
HT
3,444 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 3 + | 0,957 € | 2,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-8956
- Référence fabricant:
- FGAF40S65AQ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 94 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | TO-3PF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.7 x 5.7 x 24.7mm | |
| Capacité de grille | 2590pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Indice énergétique | 325mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 94 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier TO-3PF | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.7 x 5.7 x 24.7mm | ||
Capacité de grille 2590pF | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Indice énergétique 325mJ | ||
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- KR
Grâce à la nouvelle technologie IGBT d'arrêt de champ, on Semiconductor de la nouvelle série d'arrêt de champ 4e génération de RC IGBT offre les performances optimales pour le niveau de PFC de convertisseur de consommables et d'applications industrielles.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
CO-efficacité positive de tempéraure pour un fonctionnement parallèle facile
Capacité de courant élevé
Tension de saturation faible : VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.
Impédance d'entrée élevée
100% des pièces testées pour ILM
Commutation rapide
Resserrement de la distribution des paramètres
IGBT avec diode monolithique à conducteur inversé
Applications
Appareils grand public
PFC, soudure
Application industrielle
CO-efficacité positive de tempéraure pour un fonctionnement parallèle facile
Capacité de courant élevé
Tension de saturation faible : VCE(sat) = 1,6V(Typ.) @ IC = 40A.
Impédance d'entrée élevée
100% des pièces testées pour ILM
Commutation rapide
Resserrement de la distribution des paramètres
IGBT avec diode monolithique à conducteur inversé
Applications
Appareils grand public
PFC, soudure
Application industrielle