Module IGBT, SKM75GB12V, , 114 A, 1200 V, SEMITRANS2, 7 broches, Série
- Code commande RS:
- 905-6156
- Référence fabricant:
- SKM75GB12V
- Marque:
- Semikron Danfoss
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 94,15 € |
| 2 - 4 | 89,45 € |
| 5 - 7 | 84,91 € |
| 8 - 15 | 80,70 € |
| 16 + | 76,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 905-6156
- Référence fabricant:
- SKM75GB12V
- Marque:
- Semikron Danfoss
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 114 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Type de boîtier | SEMITRANS2 | |
| Configuration | Demi-pont double | |
| Type de montage | Montage panneau | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Configuration du transistor | Série | |
| Dimensions | 94 x 34 x 30.1mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Courant continu de Collecteur maximum 114 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Type de boîtier SEMITRANS2 | ||
Configuration Demi-pont double | ||
Type de montage Montage panneau | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 7 | ||
Configuration du transistor Série | ||
Dimensions 94 x 34 x 30.1mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
- Pays d'origine :
- SK
Modules IGBT doubles
Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.
Boîtier SEMITOP® compact
Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe
Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe
fourni avec
Matériel de fixation
Modules IGBT, Semikron
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.