Module IGBT, SKM200GB126D, , 260 A, 1200 V, SEMITRANS3, 7 broches, Série
- Code commande RS:
- 468-2460
- Référence fabricant:
- SKM200GB126D
- Marque:
- Semikron Danfoss
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 226,52 € |
| 2 - 4 | 199,34 € |
| 5 - 9 | 181,22 € |
| 10 - 19 | 170,13 € |
| 20 + | 158,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 468-2460
- Référence fabricant:
- SKM200GB126D
- Marque:
- Semikron Danfoss
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 260 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Configuration | Demi-pont double | |
| Type de boîtier | SEMITRANS3 | |
| Type de montage | Montage panneau | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Configuration du transistor | Série | |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 30mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Courant continu de Collecteur maximum 260 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Configuration Demi-pont double | ||
Type de boîtier SEMITRANS3 | ||
Type de montage Montage panneau | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 7 | ||
Configuration du transistor Série | ||
Dimensions 106.4 x 61.4 x 30mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Modules IGBT doubles
Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.
Boîtier SEMITOP® compact
Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe
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Modules IGBT, Semikron
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.